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    CVD全英文是Chemical Vapor Deposition中文是“化學氣相淀積”，是指含有構成薄膜元素的氣態反應劑，液態反應劑的蒸氣及反應所需其它氣體引入反應室里，管式電爐在襯底表面發生化學反應生成薄膜的重要過程。

 
     曾經在VCD機生產商競爭的年代，內部定制的一種碟片標準，具有多層菜單，用的C-CUBE公司的芯片. 

    在超大規模集成電路中很多薄膜都是采用CVD方法制備經過CVD處理后，表面處理膜密著性約提高30%，防止高強力鋼的彎曲，拉伸等成形時產生的刮痕。

    CVD的特點淀積溫度低，薄膜成份易控膜厚淀積時間成正比，均勻性重復性好，電爐臺階覆蓋性優良。